NTHL099N60S5 SUPERFET V MOSFET 是安森美半導(dǎo)體的第五代高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 提供同類最佳的 FOM（RDS(ON)-QG 和 RDS(ON)-EOSS），不僅能提高重負(fù)載效率，還能提高輕負(fù)載效率。600 V SUPERET V 系列通過降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗實現(xiàn)設(shè)計優(yōu)勢，同時支持 120 V/ns 的極高 MOSFET dVDS/dt 額定值和 50 V/ns 的高體二極管 dVDS/dt 額定值。因此，SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列結(jié)合了出色的開關(guān)性能，同時又不犧牲硬開關(guān)拓?fù)浜蛙涢_關(guān)拓?fù)涞囊子眯?。它有助于管?EMI 問題，使設(shè)計更易于實現(xiàn)，并具有出色的系統(tǒng)效率。

特性

• 650 V @ TJ= 150°C

• 典型值 RDS(on)= 79.2 m

• 100% 通過雪崩測試

• 無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用

• 電信/服務(wù)器電源

• 電動汽車充電器/UPS/太陽能/工業(yè)電源

深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求安森美 NTHL099N60S5 功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET® V，易驅(qū)動，600 V，33 A，99 mΩ，TO-247

絕對最大額定值（TJ = 25°C，除非另有說明）

標(biāo)記圖

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