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Diodes推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

 Diodes 公司 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。

 

DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)熱性 (RθJC = 0.6°C/W),非常適合用于在惡劣環(huán)境中運(yùn)作的應(yīng)用。這款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,僅 80mΩ (對(duì)于 15V 的閘極驅(qū)動(dòng)),能將傳導(dǎo)耗損降至最低,并提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC,可減少開(kāi)關(guān)耗損與降低封裝溫度。

 

本產(chǎn)品是市場(chǎng)上首款采用 TO247-4 封裝的碳化硅 MOSFET。額外的凱爾文感應(yīng)接腳可以接到 MOSFET 的源極,以?xún)?yōu)化切換效能,達(dá)到更高的功率密度。

 

關(guān)于 Diodes Incorporated

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股 600 指數(shù)和羅素 3000 指數(shù)成員公司,為汽車(chē)、工業(yè)、運(yùn)算、消費(fèi)性電子及通訊市場(chǎng)的全球公司提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。

 

公司主頁(yè):cx43.cn/

 

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