明佳達電子出售意法半導體STGWA30HP65FB2溝槽柵極場截止650 V、高速HB2系列IGBT
| 制造商 | ST |
| 型號 | STGWA30HP65FB2 |
| 封裝 | TO-247-3 |
規(guī)格
技術(shù)：Si
封裝 / 箱體：TO-247-3
安裝風格：Through Hole
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：650 V
集電極—射極飽和電壓：1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
Pd-功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55°C
最大工作溫度：+ 175°C
封裝：Tube
商標：STMicroelectronics
集電極最大連續(xù)電流 Ic：50 A
柵極—射極漏泄電流：250 nA
產(chǎn)品類型：IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量：600
子類別：IGBTs
單位重量：6.100 g
說明
該650V HB 系列溝槽式柵極場終止型 IGBT 是采用先進的、具有專利的溝槽式柵極和場終止型結(jié)構(gòu)進行開發(fā)的 IGBT。這些器件在傳導和開關(guān)損耗間取得最佳折中，使任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率實現(xiàn)最大化。憑借 ST 先進的溝槽式柵極和場終止高速技術(shù)，這些 IGBT 具有最低程度的集電極電流斷開拖尾，以及非常低的飽和電壓（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），盡可能降低了開關(guān)和打開過程中的電能損耗。此外，微正的 VCE(sat) 溫度系數(shù)和非常緊密的參數(shù)分布實現(xiàn)了更為安全的并行工作。
HB2系列是先進的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的VCE(sat)行為，HB2系列的性能在傳導方面以及在降低開關(guān)能量方面得到了優(yōu)化。僅用于保護目的的二極管與IGBT反向并聯(lián)封裝在一起。其結(jié)果是，該產(chǎn)品專為最大限度地提高各種快速應(yīng)用的效率而設(shè)計。
