7 月 3 日消息，根據(jù)韓媒報道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金屬布線”（metal wiring）中首次嘗試使用鉬（Mo）。
其中金屬布線工藝主要是使用不同的方式連接數(shù)十億個電子元器件，形成不同的半導體（CPU、GPU 等），可以說是“為半導體注入了生命”。
消息人士稱三星公司已從 Lam Research 公司引進了五臺 Mo 沉積機，此外還計劃明年再引進 20 臺設備。
除三星電子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考慮使用鉬。和現(xiàn)有 NAND 工藝中所使用的六氟化鎢（WF6）不同，鉬前驅(qū)體（molybdenum precursor）是固態(tài)，必須在 600℃ 的高溫下才能升華直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，而這個過程需要單獨的沉積設備。
關于三星半導體
三星提供新一代的半導體產(chǎn)品，包括動態(tài)隨機存取存儲器、固態(tài)硬盤、處理器、圖像傳感器以及廣泛的趨勢技術組合。
