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意法半導(dǎo)體STGAP2SICSNTR用于SiC mosfet的單柵電隔離驅(qū)動(dòng)器

 意法半導(dǎo)體STGAP2SICSNTR用于SiC mosfet的單柵電隔離驅(qū)動(dòng)器,全新原裝,明佳達(dá)電子大量現(xiàn)貨供應(yīng)!

 

產(chǎn)品說明:

STGAP2SICSN單柵極驅(qū)動(dòng)器在柵極驅(qū)動(dòng)通道、低壓控制和接口電路之間提供電流隔離。STGAP2SICSN具有4A能力和軌到軌輸出,適用于中等功率和大功率應(yīng)用,如工業(yè)應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。該柵極驅(qū)動(dòng)器有兩種不同配置可選。

 

STGAP2SICSN 4A單通道柵極驅(qū)動(dòng)器有兩種不同配置可選。第一種配置提供獨(dú)立的輸出引腳,允許使用專用柵極電阻器進(jìn)行獨(dú)立的導(dǎo)通和關(guān)斷優(yōu)化。第二配置具有單輸出引腳和米勒鉗位功能,可防止半橋拓?fù)渲锌焖贀Q向時(shí)的柵極尖峰。兩種格式均可為外部元件提供較高的靈活性和較少的物料清單。

 

STGAP2SICSN集成了保護(hù)功能,包括針對SiC MOSFET優(yōu)化值的UVLO和熱關(guān)斷,從而可高效設(shè)計(jì)高可靠性系統(tǒng)。通過雙輸入引腳選擇控制信號(hào)極性,可以實(shí)施硬件互鎖保護(hù),可在控制器發(fā)生故障時(shí)避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入至輸出傳播延遲結(jié)果包含在75ns以內(nèi),可提供較高的PWM控制精度??商峁┐龣C(jī)模式,降低空閑功耗。

 

特性

高達(dá)1700V高壓軌

驅(qū)動(dòng)器電流能力:4A拉電流/灌電流(25°C時(shí))

dV/dt瞬變抗擾性:±100V/ns,全溫度范圍內(nèi)

整體輸入-輸出傳播延遲:75ns

獨(dú)立的拉電流和灌電流選項(xiàng),可簡化柵極驅(qū)動(dòng)配置

4A米勒鉗位專用引腳選項(xiàng)

UVLO功能

柵極驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)26V

3.3V、5V TTL/CMOS輸入,帶遲滯

高溫關(guān)斷保護(hù)

待機(jī)功能

4.8kVPK 隔離

窄體SO8

 

應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于家用電器、工廠自動(dòng)化、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)機(jī)

600V/1200V逆變器

電池充電器

感應(yīng)加熱

焊接

UPS

電源裝置

直流-直流轉(zhuǎn)換器

功率因數(shù)校正

 

框圖

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