深圳市明佳達(dá)電子全新原裝出售羅姆碳化硅 MOSFET SCT3040KRC15 1200V N 溝道 SiC 功率 MOSFET

描述：

SCT3040KRC15是非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET。采用電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開(kāi)關(guān)性能。尤其是可以顯著改善導(dǎo)通損耗。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來(lái)預(yù)計(jì)可降低約35％的損耗。

特點(diǎn)：

1) 導(dǎo)通電阻低

2) 開(kāi)關(guān)速度快

3) 快速反向恢復(fù)

4）易于并聯(lián)

5）驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單

6）無(wú)鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用：

?太陽(yáng)能逆變器

?直流/直流轉(zhuǎn)換器

?開(kāi)關(guān)模式電源

?感應(yīng)加熱

?電機(jī)驅(qū)動(dòng)

主要規(guī)格

型號(hào)：SCT3040KRC15

封裝：TO-247-4L 

包裝數(shù)量： 450  

最小獨(dú)立包裝數(shù)量：30  

包裝形態(tài)： Tube  RoHS

產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：Through Hole

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：107 nC

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：262 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：20 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：8.3 S

濕度敏感性：Yes

上升時(shí)間： 21 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27 ns

典型接通延遲時(shí)間：6 ns

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