明佳達(dá)出售 Renesas MOSFET 晶體管 NP30N06QDK-E1-AY 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品概述
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品類別： MOSFET
技術(shù)： Si 硅
封裝/外殼：HSON-8
晶體管極性 N 溝道
通道數(shù) 1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：60 V
Id - 持續(xù)漏極電流：30 A
Rds On - 漏極-源極電阻：14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2.5 V
Qg - 柵極電荷：25 nC
最高工作溫度 + 175 C
Pd - 功率耗散： 59 W
通道模式： 增強(qiáng)
特性
超低導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V，ID = 15 A） RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V，ID = 7.5 A)
低 Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V）
專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，通過 AEC-Q101 認(rèn)證
小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道
應(yīng)用
高度集成的 100W USB-PD 充電器
如有興趣，歡迎來電咨詢陳先生：
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com
