明佳達(dá)提供GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶體管

器件概述

GS6100x 100V E-HEMT晶體管是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件。這些晶體管具有GaN的特性，可提供高電流、高擊穿電壓和極高的開關(guān)頻率。GS6100x晶體管采用島式技術(shù)單元布局，以提供高電流芯片和高產(chǎn)量。它們還采用GaNPX封裝，在小封裝中提供低電導(dǎo)和低熱阻。GS6100x晶體管為高功率應(yīng)用提供極低的結(jié)至外殼熱阻。所有這些特性相結(jié)合，提供了非常高效的電源開關(guān)。

技術(shù)：GaN-on-Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：GaNpx

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：100 V

Id-連續(xù)漏極電流：90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：9.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：1.1 V

Qg-柵極電荷：8 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 150°C

Pd-功率耗散：-

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：GaNPX

系列：GS6100x

配置：Single

開發(fā)套件：GS61008P-EVBHF

濕度敏感性：Yes

產(chǎn)品類型：MOSFET

單位重量：3 g

典型應(yīng)用

• 不間斷電源(UPS)

• 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

• 機(jī)器人學(xué)

• 無線電力傳輸

• 快速電池充電

• D類放大器

• 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)

• 交流/DC轉(zhuǎn)換器(次級(jí)側(cè))

• 牽引驅(qū)動(dòng)

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