明佳達(dá)電子供應(yīng)/回收（Microchip）SST26VF032B-104V/SM SST26串行四通道I/O閃存
概述：
SST26串行四通道I/O (SQI) 閃存具有低引腳數(shù)、增強(qiáng)型4位多路復(fù)用串行接口架構(gòu)，以及高達(dá)350Mbps持續(xù)增長的突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸速率，性能優(yōu)于典型串行閃存。此系列SQI閃存不僅擁有標(biāo)準(zhǔn)串行器件的緊湊型外形，還提升了性能。SST26 SQI采用高性能CMOS SuperFlash®技術(shù)，在降低功耗的同時(shí)大幅提升了性能和可靠性。此閃存可在80 MHz的頻率下運(yùn)行，非常適合Bluetooth® 耳機(jī)、光盤驅(qū)動器和GPS應(yīng)用。
| 制造商 | Microchip |
| 型號 | SST26VF032B-104V/SM |
| 類型 | NOR閃存 |
| 封裝 | SOIJ-8 |
存儲容量：32 Mbit
電源電壓-最小：2.3 V
電源電壓-最大：3.6 V
有源讀取電流（最大值）：25 mA
接口類型：SPI
最大時(shí)鐘頻率：104 MHz
組織：4 M x 8
數(shù)據(jù)總線寬度：8 bit
定時(shí)類型：Synchronous
最小工作溫度：- 40°C
最大工作溫度：+ 105°C
存儲類型：NOR
產(chǎn)品類型：NOR Flash
速度：104 MHz
單位重量：150 mg
特性：
單電壓讀寫操作
串行接口架構(gòu)
高速時(shí)鐘頻率
突發(fā)模式
索引跳變
非?？煽浚?/p>
可擦寫次數(shù)：100,000次
數(shù)據(jù)保存100年以上
低功耗
12mA讀操作工作電流
8µA待機(jī)電流
快速擦除和字節(jié)編程
35ms芯片擦除時(shí)間
18ms扇區(qū)/塊參數(shù)時(shí)間
頁編程
256字節(jié)每頁
1ms的快速頁編程時(shí)間
寫操作結(jié)束檢測
靈活的擦除功能
寫暫停
軟件復(fù)位(RST) 模式
軟件寫保護(hù)
安全I(xiàn)D
-40°C至85°C的工作溫度范圍
SST26串行四通道I/O閃存框圖
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