深圳市明佳達電子原裝現(xiàn)貨出售英飛凌NOR閃存 S70GL02GS11FHI010 2 Gbit (256 MB) GL-S MIRRORBIT™ 并行閃存，3.0 V
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制造商
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Infineon Technologies
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產(chǎn)品型號
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描述
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FLASH - NOR 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 110 ns 64-FBGA（13x11）
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規(guī)格
| 產(chǎn)品種類: | NOR閃存 | |
| SMD/SMT | ||
| BGA-64 | ||
| S70GL02GS | ||
| 2 Gbit | ||
| 2.7 V | ||
| 3.6 V | ||
| 160 mA | ||
| Parallel | ||
| 128 M x 16 | ||
| 16 bit | ||
| Asynchronous | ||
| - 40 C | ||
| + 85 C | ||
| 結構: | Sector | |
| 存儲類型: | NOR | |
| 濕度敏感性: | Yes | |
| 產(chǎn)品類型: | NOR Flash | |
| 速度: | 110 ns | |
| 工廠包裝數(shù)量: | 1800 | |
| 子類別: | Memory & Data Storage | |
| 單位重量: | 170.200 mg |
一般描述
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ 閃存器件采用 65 納米 MIRRORBIT™ 工藝技術制造。該器件的快速頁面訪問時間為 25 ns，相應的隨機訪問時間為 110 ns。它具有一個寫緩沖器，允許在一次操作中最多編程 256 個字/512 個字節(jié)，與標準的單字節(jié)/字編程算法相比，有效編程時間更短。這使得該器件成為當今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式應用的理想產(chǎn)品。
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