明佳達公司供應晶體管 GTVA262701FA-V2-R2 射頻結(jié)柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
功能特點
• SiC HEMT 氮化鎵技術(shù)
• 輸入匹配
• 典型脈沖 CW 性能：10 µs 脈寬、10% 占空比、2690 MHz、48 V
- P3dB 時的輸出功率 = 270 W
- 效率 = 66
- 增益 = 18.1 dB
• 人體模型 1B 級（符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 標準）
• 能夠處理 10:1 VSWR @ 48 V、60 W（WCDMA）輸出功率
• 無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
GTVA262701FA-V2-R2產(chǎn)品屬性
| 系列 | GaN | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 零件狀態(tài) | 在售 | |
| 技術(shù) | HEMT | |
| 頻率 | 2.62GHz ~ 2.69GHz | |
| 增益 | 17dB | |
| 電壓 - 測試 | 48 V | |
| 額定電流（安培） | - | |
| 噪聲系數(shù) | - | |
| 電流 - 測試 | 320 mA | |
| 功率 - 輸出 | 270W | |
| 電壓 - 額定 | 125 V | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 封裝/外殼 | H-87265J-2 | |
| 供應商器件封裝 | H-87265J-2 | |
| 基本產(chǎn)品編號 | GTVA262701 |
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