明佳達電子全新原裝供應(yīng)微控制器 STM32L475VET6TR 基于高性能 ARM® Cortex®-M4 32 位 RISC 內(nèi)核的超低功耗微控制器，工作頻率高達 80 MHz。

概述

STM32L475VET6TR器件嵌入了高速存儲器（閃存高達 1 Mbyte，SRAM 高達 128 Kbyte）、用于靜態(tài)存儲器的靈活外部存儲器控制器 (FSMC)（適用于 100 引腳封裝的器件）、Quad SPI 閃存接口（適用于所有封裝）以及連接到兩條 APB 總線、兩條 AHB 總線和 32 位多 AHB 總線矩陣的大量增強型 I/O 和外設(shè)。

STM32L475VET6TR器件為嵌入式閃存和 SRAM 嵌入了多種保護機制：讀出保護、寫保護、專有代碼讀出保護和防火墻。

這些器件提供多達兩個快速 12 位 ADC（5 Msps）、兩個比較器、兩個運算放大器、兩個 DAC 通道、一個內(nèi)部電壓基準(zhǔn)緩沖器、一個低功耗 RTC、兩個通用 32 位定時器、兩個電機控制專用 16 位 PWM 定時器、七個通用 16 位定時器和兩個 16 位低功耗定時器。這些器件支持四個用于外部 sigma delta 調(diào)制器 (DFSDM) 的數(shù)字濾波器。

電路原理圖

特性

• 通過 FlexPowerControl 實現(xiàn)超低功耗
• 1.71 V 至 3.6 V 電源
• -40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍
• VBAT 模式下 300 nA：為 RTC 和 32x32 位備份寄存器供電
• 30 nA 關(guān)機模式（5 個喚醒引腳）
• 120 nA 待機模式（5 個喚醒引腳）
• 420 nA 帶 RTC 的待機模式
• 1.1 μA 停止 2 模式，1.4 μA 停止 2，帶 RTC
• 100 μA/MHz 運行模式
• 批量采集模式 (BAM)
• 從停止模式喚醒 4 μs
• 除關(guān)機外的所有模式下的斷電復(fù)位 (BOR)
• 互連矩陣
• 內(nèi)核： ARM® 32 位 Cortex®-M4 CPU，帶 FPU、自適應(yīng)實時加速器（ART Accelerator™），允許從閃存執(zhí)行 0 等待狀態(tài)，頻率高達 80 MHz，MPU，100DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令

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