深圳市明佳達(dá)電子有限公司長期供求晶體管 IGLD60R190D1AUMA1 600V GaN晶體管，為消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用提供最高效率和功率密度的分立與集成解決方案。
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制造商
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Infineon Technologies
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產(chǎn)品型號
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描述
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表面貼裝型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1
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產(chǎn)品屬性
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系列
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CoolGaN™
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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GaNFET（氮化鎵）
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漏源電壓（Vdss）
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600 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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10A（Tc）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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-
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
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-
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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1，6V @ 960µA
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Vgs（最大值）
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-10V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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157 pF @ 400 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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62.5W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-LSON-8-1
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封裝/外殼
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8-LDFN 裸焊盤
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總結(jié)
英飛凌的GaN晶體管在高達(dá) 700 V 的電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。我們的GaN器件具有快速的導(dǎo)通/關(guān)斷速度、最小的開關(guān)損耗和多種封裝選擇，能夠簡單快速地將產(chǎn)品推向市場。這些器件不僅符合廣泛標(biāo)準(zhǔn)，還超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。GaN技術(shù)大大提高了系統(tǒng)的整體性能，并最大限度地降低了系統(tǒng)成本，提高了易用性。
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