深圳市明佳達電子有限公司大量供求美光 MT62F1G64D8WT-031 XT:B、MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B LPDDR5 SDRAM 內(nèi)存

介紹

Micron移動設備和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM設計用于滿足5G網(wǎng)絡的需求。  DRAM支持5G智能手機以高達6.4Gbps的峰值速度處理數(shù)據(jù)。這對于防止5 G數(shù)據(jù)瓶頸至關重要。LPDDR 5 DRAM可以滿足這些要求，數(shù)據(jù)訪問速度提升50%。與前幾代產(chǎn)品相比，該器件的功效也增加20%以上。

Micron和Motorola合作，使Edge+能夠達到5G網(wǎng)絡速度，從而最大限度地提高處理能力以及實現(xiàn)高帶寬內(nèi)存和存儲。Motorola Edge+采用業(yè)界領先的12GB Micron LPDDR5 DRAM存儲器，為消費者提供順暢、無滯后的體驗。這些新手機利用更快的數(shù)據(jù)速度和更低的5G延遲來提高基于云的應用（如游戲和流媒體）的性能。

特性

• Micron先進的1y納米節(jié)點，具有12GB容量，數(shù)據(jù)速度為6.4Gbps，改進了整體DRAM設計
• 帶寬提升超過50%，提升5G和AI等下一代旗艦智能手機的性能
• 可在Edge+智能手機上實現(xiàn)下一代功能
• 與LPDDR4 相比，電源效率提高了20%以上，因此旗艦智能手機能夠在充電之間運行更長時間

應用

• 智能手機
• AI
• 專業(yè)攝影
• 沉浸式娛樂
• 增強型游戲
• 客戶端PC
• 網(wǎng)絡

器件型號：MT62F1G64D8WT-031 XT:B、MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B

產(chǎn)品種類：動態(tài)隨機存取存儲器

產(chǎn)品類型：DRAM

封裝：FBGA

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