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深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝出售ST晶體管 STL33N60DM2 N溝道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封裝
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制造商
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STMicroelectronics
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產(chǎn)品型號(hào)
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STL33N60DM2 |
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描述
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MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
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| 年份 |
23+
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詳細(xì)描述
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表面貼裝型 N 通道 600 V 21A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
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規(guī)格
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| PowerFLAT-8x8-5 | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 600 V | |
| 21 A | |
| 115 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 3 V | |
| 43 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Enhancement | |
| MDmesh | |
| STL33N60DM2 | |
| 配置: | Single |
| 下降時(shí)間: | 9 ns |
| 濕度敏感性: | Yes |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 上升時(shí)間: | 8 ns |
| 工廠包裝數(shù)量: | 3000 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 62 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間: | 17 ns |
| 單位重量: | 180 mg |
介紹
這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 屬于 MDmesh™ DM2 快恢復(fù)二極管系列。它具有極低的恢復(fù)電荷 (Qrr) 和時(shí)間 (trrr) 以及較低的 RDS(on)，因此適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器，也是橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和 ZVS 相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
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