深圳市明佳達(dá)電子有限公司進(jìn)口原裝供應(yīng)存儲器《CY14V101QS-SE108XI》NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲器 IC 1Mb SPI 108 MHz 16-SOIC

器件說明

CY14V101QS-SE108XI 1 Mbit （128K × 8) 四通道 SPI NVSRAM 耦合一個 1 Mbit NVSRAM ，具有一個 QPI 接口。 QPI 通過使用特定運(yùn)算代碼能夠在單路（每個時鐘周期使用一個I/O 通道傳輸一位）、雙路（每個時鐘周期使用兩個 I/O 通道傳輸兩位）、或四路（每個時鐘周期使用四個 I/O 通道傳輸四位）配置中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存讀寫操作。 該內(nèi)存采用 128Kbytes 結(jié)構(gòu)，每個包含 SRAM 和非易失性 SONOS FLASH Quantum Trap內(nèi)存單元。 SRAM 可提供不限次讀寫周期，而非易失性單元可提供數(shù)據(jù)儲存。 斷電時，數(shù)據(jù)自動從 SRAM 傳輸?shù)椒且资詥卧⊿TORE 操作）。 上電時，數(shù)據(jù)可從非易失性單元（RECALL 操作）恢復(fù)到 SRAM。 用戶還可通過 SPI 指令啟動 STORE 和 RECALL 操作。

特性

• 密度 1Mbit（128K × 8）
• 帶寬
• 108MHz 高速接口
• 讀寫速度 54MBps
• 串行外設(shè)接口
• 時鐘極性和相位模式 0 和 3
• 多輸入/輸出選項 - 單 SPI (SPI)、雙 SPI (DPI) 和四 SPI (QPI)
• 高可靠性
• 無限次讀取、寫入和 RECALL 循環(huán)
• 非易失性元件（SONOS FLASH 量子阱）一百萬次存儲周期
• 數(shù)據(jù)保存：85 °C 下 20 年
• 讀取
• 命令： 標(biāo)準(zhǔn)、快速、雙 I/O 和四 I/O
• 模式 突發(fā)包絡(luò)、連續(xù) (XIP)
• 寫入
• 命令：標(biāo)準(zhǔn)、快速、雙 I/O 和四輸入/輸出 標(biāo)準(zhǔn)、快速、雙 I/O 和四 I/O
• 模式：連續(xù) 突發(fā)包絡(luò)
• 數(shù)據(jù)保護(hù)
• 硬件 通過寫保護(hù)引腳 (WP)
• 軟件 通過寫入禁用指令
• 塊保護(hù)： 狀態(tài)寄存器位控制保護(hù)
• 特殊指令
• 存儲/調(diào)用： 在 SRAM 和量子捕獲器之間訪問數(shù)據(jù)
• 序列號： 8 字節(jié)客戶可選 (OTP)
• 識別碼： 4 字節(jié)制造商 ID 和產(chǎn)品 ID
• 從 SRAM 存儲到非易失性 SONOS FLASH 量子捕獲器
• 自動存儲： 通過一個小型電容器 (VCAP) 在斷電時自動啟動
• 軟件： 使用 SPI 指令 (STORE)
• 硬件：HSB 引腳
• 從非易失性 SONOS FLASH 量子捕獲器調(diào)用到 SRAM
• 自動調(diào)用：上電時自動啟動
• 軟件： 使用 SPI 指令 (RECALL) 使用 SPI 指令 (RECALL)
• 低功耗模式
• 睡眠： 平均電流 = 280μA（+85°C 時
• 休眠： 平均電流 = 8μA （+85°C 時
• 工作電源電壓
• 核心 VCC：2.7V 至 3.6V
• I/O VCCQ：1.71V 至 2.0V
• 溫度范圍：-40°C 至 +85°C
• 封裝： 16 引腳 SOIC

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