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氮化鎵芯片(24-PQFN)NV6158、NV6153-RA 采用 GaNSense? 技術(shù)的 GanFast? 電源 IC

明佳達電子供應(yīng)氮化鎵芯片(24-PQFN)NV6158、NV6153-RA GaNFast™ 電源集成電路 采用 GaNSense™ 技術(shù)

制造商型號:NV6158NV6153-RA

制造商:Navitas Semiconductor

年份:最新

系列:GaNFast™

描述 

這款 GaNFast™ 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,實現(xiàn)了前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了 GaNSense™ 技術(shù),能夠?qū)崟r、準確地檢測電壓、電流和溫度,從而進一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實現(xiàn)的。GaNSense™ 實現(xiàn)了集成的無損耗電流檢測,從而消除了外部電流檢測電阻,提高了系統(tǒng)效率。GaNSense™ 還能提供短路和過溫保護,從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性,而自動待機模式則能提高輕載、微載和空載效率。這些氮化鎵集成電路結(jié)合了最高的 dV/dt 抗擾度、高速集成驅(qū)動和行業(yè)標準的扁平、低電感 SMT QFN 封裝,使設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、快速和可靠的解決方案。Navitas 的氮化鎵集成電路技術(shù)擴展了反激式、半橋、降壓/升壓、LLC 和其他諧振轉(zhuǎn)換器等傳統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)的功能,使其頻率達到 MHz 以上,并具有極高效率和低 EMI,從而以極具吸引力的成本結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了前所未有的功率密度。

特性

GaNFast™ 功率集成電路

• 單片集成柵極驅(qū)動

• 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)

• 可編程導通 dV/dt - 200 V/ns dV/dt 抗擾度

• 800 V 額定瞬態(tài)電壓

• 700 V 額定連續(xù)電壓

• 120 mΩ 低電阻

• 零反向恢復電荷

• 2 MHz 工作頻率

GaNSense™ 技術(shù)

• 集成式無損耗電流檢測

• 短路保護

• 過溫保護

• 自主低電流待機模式

• 自動待機模式輸入

拓撲結(jié)構(gòu)/應(yīng)用

• 交流-直流、直流-交流、直流-交流

• QR反激式、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC諧振、D類橋、LLC 諧振、D 類 

• 無線供電、太陽能微型逆變器、LED 照明、電視機 SMPS、服務(wù)器、電信

典型應(yīng)用電路

高價回收氮化鎵芯片NV6158、NV6153-RA 采用 GaNSense™ 技術(shù)的 GanFast™ 電源 IC,只收原裝正品,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,散新翻新均不考慮,有多余庫存需處理歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機13410018555 郵箱chen13410018555@163.com!

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