深圳市明佳達電子有限公司出售英飛凌功率MOSFET IQE050N08NM5 OptiMOS™ 低壓功率 MOSFET 30 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源極底置封裝，具有行業(yè)領先的RDS(on) 和卓越的熱性能

產(chǎn)品說明

IQE050N08NM5是英飛凌對創(chuàng)新性 源極底置 技術的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源極底置具有 30 V 和極低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源極底置技術使硅片倒置在元件內部。調整后，源極電位（而非漏極電位）即可通過導熱墊連接到 PCB。這樣就能提供多項優(yōu)勢，如增強熱性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主動散熱要求及有效的熱管理布局有利于實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)勢。RDS(on) 新標桿和創(chuàng)新布局能力使 源極底置 概念在溫度管理方面處于領先地位。源極底置產(chǎn)品組合解決了各種應用問題，包括 電機驅動、 電信、 SMPS  或 服務器。目前，有兩種不同的產(chǎn)品尺寸采用了這項新技術：源極底置標準柵極和源極底置置中柵極（并行優(yōu)化）。

特征描述

• 與現(xiàn)有技術相比，RDS(on) 大幅降低30%
• 采用 PQFN 封裝技術后RthJC 改善
• 可獲得標準柵極和置中柵極尺寸
• 優(yōu)化后的新布局

優(yōu)勢

• 實現(xiàn)最高的功率密度和性能
• 卓越的熱性能
• 優(yōu)化布局，有效利用面積
• 簡化采用置中柵極尺寸的多個 MOSFET 并行配置
• 降低 PCB 損失
• 降低寄生參數(shù)

潛在應用

• 電機驅動
• SMPS
• 服務器
• 電信
• OR-ing
• 電池管理

公司只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源，長期高價現(xiàn)金回收個人和工廠庫存電子元件，能迅速為客戶消化庫存、減少倉儲、回籠資金。

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