AIGB30N65F5ATMA1、AIGB30N65H5ATMA1 TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT針對開關(guān)>60kHz進(jìn)行了優(yōu)化，以提供最佳效率，彌補(bǔ)MOSFET和IGBT之間的差距。與目前領(lǐng)先解決方案相比，F(xiàn)5系列顯著降低了開關(guān)損耗。目標(biāo)拓?fù)錇椴婚g斷電源 (UPS)、逆變焊機(jī)和開關(guān)電源 (SMPS) 等應(yīng)用中常見的升壓級、PFC（交流-直流）級和高壓直流-直流拓?fù)洹?直流）級和高壓直流-直流拓?fù)洹?50V Trenchstop™ 5 F5 igbt與碳化硅二極管共同針對低電感設(shè)計(jì)，提供的效率比650V Trenchstop™ 5 H5系列高出1%。F5產(chǎn)品需要的設(shè)計(jì)工作更多，但回報(bào)也更高。

功能和優(yōu)點(diǎn)：

高速 F5 技術(shù)提供：

•在硬交換和諧振拓?fù)渲械淖罡咝释負(fù)?/p>

•650V 擊穿電壓-低柵極充電 QG

•最高結(jié)溫 175°C

•通過動態(tài)耐壓測試

•通過 AEC-Q101 認(rèn)證

•綠色包裝（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）

應(yīng)用

•板外充電器

•板載充電器

•DC/DC轉(zhuǎn)換器

•功率因數(shù)校正

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