深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)車規(guī)級MOSFET IPB120N10S4-05 OptiMOS® -T2 功率晶體管
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制造商
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Infineon Technologies
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制造商產(chǎn)品編號
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描述
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MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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批次
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23+
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詳細(xì)描述
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表面貼裝型 N 通道 100 V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3
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特征描述
N 通道正常電平 - 增強模式
AEC 101 認(rèn)證
MSL1 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 的工作溫度
環(huán)保產(chǎn)品（符合 RoHS ）
100% 經(jīng)過雪崩測試
產(chǎn)品屬性
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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100 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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120A（Tc）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
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5 毫歐 @ 100A，10V
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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3.5V @ 120µA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
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91 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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6540 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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190W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-TO263-3
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封裝/外殼
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TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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基本產(chǎn)品編號
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IPB120
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