明佳達公司長期出售Microchip MSCSM120DDUM31CTBL2NG 雙路雙共源碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊

產(chǎn)品概述：

MSCSM120DDUM31CTBL2NG 器件是一個雙雙共源 1200 V/79 A 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊。

以下是 MSCSM120DDUM31CTBL2NG 器件的主要特性：

產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊

類型： 雙路雙共源 SiC MOSFET 功率模塊

技術(shù)： SiC

Vf - 正向電壓： 1.5 V，30 A

Vr - 反向電壓 : 1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, 25 V

安裝風格： 螺釘安裝

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度： + 175 C

配置： 雙雙共源

下降時間: 25 ns

Id- 連續(xù)漏極電流: 79 A

功率耗散： 310 W

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： 31 mOhms

上升時間： 30 毫微秒

晶體管極性： N 溝道

典型關(guān)閉延遲時間： 50 ns

典型接通延遲時間： 30 ns

Vds- 漏源極擊穿電壓： 1.2 kV

Vgs th-柵源極閾值電壓： 1.8 V

優(yōu)點

MSCSM120DDUM31CTBL2NG 設(shè)備具有以下優(yōu)點：

• 高效率轉(zhuǎn)換器

• 高頻工作時性能卓越

• 直接安裝到散熱器上（隔離封裝）

• 結(jié)殼熱阻低

• 外形小巧

• 符合 RoHS 規(guī)范

• 電源和信號端子均可焊接，便于 PCB 安裝

• 非常集成的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

高價回收Microchip MSCSM120DDUM31CTBL2NG 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊，只要原裝正品，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機13410018555！

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