明佳達公司長期供應，收購MOSFET IPT015N10NF2SATMA1 StrongIRFET™ 2功率晶體管 表面貼裝型 N 通道

概述

英飛凌科技的IPT015N10NF2SATMA1 StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N溝道、正常電平、100%經(jīng)過雪崩測試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET優(yōu)化用于各種應用。這些MOSFET的VDS范圍為80V至100V，RDS(on)范圍為2.4mΩ至8.2mΩ。

特性

• 優(yōu)化用于各種應用
• N溝道，正常電平
• 100%經(jīng)雪崩測試
• 引腳無鉛電鍍
• 符合RoHS指令
• 無鹵素，符合IEC61249-2-21標準

規(guī)格

• 制造商: Infineon
• 產(chǎn)品種類: MOSFET
• 安裝風格: SMD/SMT
• 封裝 / 箱體: HSOF-8
• 晶體管極性: N-Channel
• 通道數(shù)量: 1 Channel
• Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
• Id-連續(xù)漏極電流: 315 A
• Rds On-漏源導通電阻: 1.5 mOhms
• Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
• Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
• Qg-柵極電荷: 161 nC
• 最小工作溫度: - 55 C
• 最大工作溫度: + 175 C
• Pd-功率耗散: 300 W
• 通道模式: Enhancement
• 系列: IPT015N10
• 配置: Single
• 下降時間: 33 ns
• 正向跨導 - 最小值: 135 S
• 上升時間: 65 ns
• 工廠包裝數(shù)量: 1800
• 典型關閉延遲時間: 60 ns
• 典型接通延遲時間: 25 ns
• 零件號別名: IPT015N10NF2S SP005679723

封裝電路應用

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