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深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和求購(gòu)英飛凌晶體管 IQE030N06NM5CGSCATMA1 N-通道功率MOSFET，只收原裝正品，質(zhì)量保證，歡迎咨詢?。?！
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制造商
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Infineon Technologies
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產(chǎn)品編號(hào)
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IQE030N06NM5CGSCATMA1 |
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描述
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OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
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| 年份 |
新23+
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詳細(xì)描述
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表面貼裝型 N 通道 60 V 21A（Ta），132A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） PG-WHTFN-9-1
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產(chǎn)品規(guī)格
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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60 V
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25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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21A（Ta），132A（Tc）
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驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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6V，10V
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不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
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3 毫歐 @ 20A，10V
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不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
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3.3V @ 50µA
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不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
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49 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
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3800 pF @ 30 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.5W（Ta），100W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-WHTFN-9-1
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封裝/外殼
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9-PowerWDFN
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