深圳市明佳達電子有限公司【分銷ON】NTH4L040N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET，40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L，進口原裝，質(zhì)量保證?。?！
NTH4L040N120SC1器件概述：
安森美 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關(guān)、低電容等特性，工作溫度范圍為-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽車AEC-Q101標(biāo)準和RoHS指令。
特點
• 類型. RDS(on)=40 m
• 超低柵極電荷(QG(tot) = 106 nC)
• 低電容的高速開關(guān) (Coss = 137 pF)
• 100%雪崩測試
• TJ = 175°C
• 該器件不含鹵化物，符合RoHS豁免7a的要求、 無鉛2LI（在第二層互連上）。
產(chǎn)品屬性：
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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SiCFET（碳化硅）
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漏源電壓（Vdss）
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1200 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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58A（Tc）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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20V
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
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56毫歐 @ 35A，20V
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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4，3V @ 10mA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
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106 nC @ 20 V
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Vgs（最大值）
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+25V，-15V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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1762 pF @ 800 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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319W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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通孔
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-247-4L
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封裝/外殼
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TO-247-4
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基本產(chǎn)品編號
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NTH4L040
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NTH4L040N120SC1 MOSFET非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、車載充電器 (OBC)、電機控制、工業(yè)電源和服務(wù)器電源。
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