深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)及回收IGBT晶體管 STG200M65F2D8AG 汽車級(jí)650 V、200 A溝槽柵場(chǎng)截止M系列IGBT晶片，D8封裝

STG200M65F2D8AG器件概述

該器件是一個(gè)使用先進(jìn)的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分，它代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，正的VCE(sat)溫度系數(shù)和嚴(yán)格的參數(shù)分布使得并聯(lián)操作更加安全。

特征

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

低損耗系列IGBT

低VCE(sat)=1.55 V（典型值），IC=200 A時(shí)

正的VCE(sat)溫度系數(shù)

嚴(yán)格的參數(shù)分布

最高結(jié)溫： TJ = 175 °C

6 µs的最小短路承受時(shí)間，TJ = 150 °C時(shí)

產(chǎn)品應(yīng)用

主變頻器（電力牽引）

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