• 系列： CoolMOS™ S7    
• FET 類型： N 通道  
• 技術： MOSFET（金屬氧化物）  
• 漏源電壓（Vdss）： 600 V  
• 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：30A（Tc）  
• 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V  
• 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 17 毫歐 @ 29A，12V  
• 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） ：4.5V @ 1.89mA  
• 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 196 nC @ 12 V  
• Vgs（最大值）： ±20V  
• 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 7370 pF @ 300 V  
• FET 功能： -  
• 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）  
• 工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  
• 安裝類型： 表面貼裝型  
• 供應商器件封裝： PG-HDSOP-22
• 封裝/外殼： 22-PowerBSOP 模塊

潛在應用

• 固態(tài)繼電器和斷路開關
• 大功率/高性能應用中的線路校正，如計算機、 電信、UPS和太陽能

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