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供應(yīng)MOSFET IPT015N10N5 表面貼裝型 N 通道 100 V 300A

明佳達(dá)公司全新原裝供應(yīng)MOSFET IPT015N10N5 表面貼裝型 N 通道 100 V 300A (Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1  質(zhì)量保證  歡迎咨詢(xún)!

制造商
Infineon Technologies
 
產(chǎn)品編號(hào)
IPT015N10N5
 
描述
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
 
批號(hào)
新23+

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

  • 具備高頻率開(kāi)關(guān)和同步功能。
  • 優(yōu)秀的門(mén)禁系統(tǒng)和RDS產(chǎn)品(FOM)
  • 非常低的通電電阻RDS(on)
  • N通道,正常水平
  • 經(jīng)測(cè)試,100%無(wú)損壞
  • 無(wú)鉛電鍍;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 根據(jù)JEDEC1標(biāo)準(zhǔn),符合目標(biāo)應(yīng)用的要求
  • 符合IEC61249-2-21的無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品屬性

系列
OptiMOS™
 
FET 類(lèi)型
N 通道
 
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
 
漏源電壓(Vdss)
100 V
 
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
300A(Tc)
 
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
 
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
1.5 毫歐 @ 150A,10V
 
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 250µA
 
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
211 nC @ 10 V
 
Vgs(最大值)
±20V
 
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
16000 pF @ 50 V
 
FET 功能
-
 
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
 
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
 
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
 
供應(yīng)商器件封裝
PG-HSOF-8-1
 
封裝/外殼
8-PowerSFN

實(shí)單有接受價(jià)歡迎致電陳先生:

電話(huà):13410018555

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