氮化鎵功率芯片來(lái)自納微半導(dǎo)體，型號(hào)為NV6133A，是一顆支持GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，芯片內(nèi)部集成高性能GaN開(kāi)關(guān)管和驅(qū)動(dòng)器，支持無(wú)損電流采樣，提升性能和可靠性，并消除取樣電阻的功率損耗。

特性

GaNFast™電源IC

• 單片集成的柵極驅(qū)動(dòng)

• 寬的VCC范圍（10至30V）

• 可編程的開(kāi)啟dV/dt

• 200 V/ns dV/dt抗擾度

• 800 V 瞬態(tài)電壓等級(jí)

• 700 V 連續(xù)電壓等級(jí)

• 330 mΩ的低電阻

• 零反向恢復(fù)電荷

• 2 MHz操作

GaNSense™技術(shù)

• 集成的無(wú)損電流感應(yīng)

• 短路保護(hù)

• 過(guò)溫保護(hù)

• 自主低電流待機(jī)模式

• 自動(dòng)待機(jī)模式輸入

小巧、扁平的SMT QFN

• 6 x 8 mm 占地面積，0.85 mm 輪廓

• 最小化的封裝電感

• 大型冷卻墊

可持續(xù)性

• 符合RoHS、無(wú)鉛、REACH標(biāo)準(zhǔn)

• 與Si解決方案相比，可節(jié)省高達(dá)40%的能源

• 系統(tǒng)級(jí)減少4公斤二氧化碳的碳足跡

典型應(yīng)用電路

全新原裝，實(shí)單有接受價(jià)可談，歡迎致電咨詢陳先生：

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