明佳達公司供應，求購碳化硅MOSFET模塊《FF3MR12KM1HOSA1_FF2MR12KM1HOSA1》62 mm 1200 V, 2 mΩ半橋模塊，采用CoolSiC™ MOSFET芯片。

特征描述

• 高電流密度
• 低開關損耗
• 出色的柵極氧化物可靠性
• 強大的抗潮濕能力
• 集成一體化二極管設計，堅固耐用并具有最佳熱性能
• 強大的抗宇宙輻射線能力
• 高開關速度、損耗極低
• 模塊上下橋臂開關具有對稱的開關特性
• 在成熟的62mm標準結構工藝大規(guī)模產(chǎn)線上生產(chǎn)，保證了CoolSiC™ MOSFET模塊產(chǎn)品質(zhì)量一致性，非?？煽?。

優(yōu)勢

• 由于開關損耗極低，可最大限度減少冷卻工作量
• 高開關頻率的模塊，適用于較少的磁性元件系統(tǒng)，從而顯著減小系統(tǒng)體積和外形尺寸
• 基于上述模塊帶來的諸多好處，可以降低系統(tǒng)成本

應用領域

• 不間斷電源（UPS）
• 太陽能系統(tǒng)解決方案

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