深圳市明佳達電子有限公司供應和收購Micron內(nèi)存芯片 MT40A1G16KH-062E AIT:E_MT40A256M16LY-062E AAT:F DDR4 SDRAM 動態(tài)隨機存取存儲器
供求型號 | MT40A1G16KH-062E AIT:E_MT40A256M16LY-062E AAT:F |
年份 | 最新23+ |
封裝 | FBGA |
Micron DDR4(雙數(shù)據(jù)速率4)SDRAM是一款高速動態(tài)隨機存取內(nèi)存,內(nèi)部配置為8組DRAM(用于x16配置)和16組DRAM(用于x4和x8配置)。借助這些高密度器件,系統(tǒng)設計人員能夠利用具有相同數(shù)量的部署獲得更多可用內(nèi)存,有助于增加系統(tǒng)的帶寬或支持的功能集。DDR4內(nèi)存還可以讓設計人員以更少部署保持相同的密度,有助于降低成本。
Micron DDR4 SDRAM內(nèi)存經(jīng)過嚴格測試,可滿足工業(yè)和汽車應用的極端溫度和性能需求。
特性
優(yōu)化了成本/性能/容量,數(shù)據(jù)速率高達3200Mb/s
帶寬比DDR3增加了50%
1.2V低電壓消耗(內(nèi)核和I/O)降低了內(nèi)存功率需求
與DDR3相比,節(jié)能特性可將整體功耗要求降低35%
連接測試模式可在系統(tǒng)測試期間實現(xiàn)早期故障檢測,從而縮短調(diào)試時間,節(jié)省開發(fā)和生產(chǎn)成本
中心接合焊盤,可實現(xiàn)最高性能和最低成本
提高數(shù)據(jù)信號完整性和系統(tǒng)可靠性;ODT、DBI、命令/地址奇偶校驗和CRC
支持高達16Gb單芯片密度
支持多級封裝
容量更大的內(nèi)存子系統(tǒng),具有高達4芯片堆疊
采用FBGA-78和FBGA-98封裝
工作溫度選項
0°C至+95°C
-40°C至+95°C
-40°C至+105°C
-40°C至+125°C
應用
云服務器和數(shù)據(jù)中心
汽車
互動健康輔導和個性化健康監(jiān)控
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)4.0
游戲PC
邊緣和視頻監(jiān)控服務器
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