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供應(yīng)半橋驅(qū)動(dòng)IC ISL95808HRZ ISL95808 高壓同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器

明佳達(dá)電子供應(yīng)半橋驅(qū)動(dòng)IC ISL95808HRZ ISL95808 高壓同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器   全新原裝    質(zhì)量保證

制造商
Renesas Electronics America Inc
 
制造商產(chǎn)品型號
ISL95808HRZ
 
描述
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
 
批次
最新22+
詳細(xì)描述
半橋 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 非反相 8-DFN(2x2)

ISL95808是一款具有低關(guān)斷電流的高頻雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過優(yōu)化可在同步整流降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道功率MOSFET。它特別適用于需要高效率和出色散熱性能的移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器與Intersil多相降壓PWM控制器相結(jié)合,構(gòu)成了一個(gè)完整的單級核心電壓穩(wěn)壓器解決方案,適用于先進(jìn)的移動(dòng)微處理器。

ISL95808的下層?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器的典型灌注電流為4A。該電流能夠在相位節(jié)點(diǎn)的上升沿期間保持下層MOSFET柵極關(guān)閉。這可防止相位電壓的高dv/dt造成的擊穿功率損失。該工作電壓與移動(dòng)計(jì)算機(jī)電源中常用的MOSFET的30V擊穿電壓相匹配。

特征

•用于同步整流橋的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器

•自適應(yīng)穿透保護(hù)

•0.5Ω導(dǎo)通電阻和4A吸收電流能力

•支持高達(dá)2MHz的高開關(guān)頻率

-快速輸出上升和下降時(shí)間

-低傳播延遲

•功率級停機(jī)的三態(tài)PWM輸入

•內(nèi)部自舉肖特基二極管

•低關(guān)機(jī)電源電流(5V,3µA)

•二極管仿真可提高輕負(fù)載效率和預(yù)偏置啟動(dòng)應(yīng)用

•集成VCC POR(通電復(fù)位)功能

•低三態(tài)停機(jī)保持時(shí)間(典型為160ns)

•DFN包

•無鉛(符合RoHS)

應(yīng)用

•Intel®和AMD的核心電源™ 移動(dòng)微處理器

•高頻低輪廓DC/DC轉(zhuǎn)換器

•高電流低輸出電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

•高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

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