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明佳達(dá)公司供應(yīng)IGBT 晶體管 IMBG120R140M1H IMBG120 1200 V 碳化硅溝槽MOSFET，全新原裝，大量工廠庫(kù)存，價(jià)格實(shí)惠，歡迎咨詢！
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制造商
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Infineon Technologies
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產(chǎn)品型號(hào)
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IMBG120R140M1H |
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| 系列 | 1200V CoolSiC™模塊 | |
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說明
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CoolSiC™ 1200 V SiC溝槽MOSFET，采用TO-263-7封裝 |
CoolSiC技術(shù)的低功率損耗與.XT互連技術(shù)相結(jié)合，采用新的1200 V優(yōu)化SMD封裝，在驅(qū)動(dòng)器、充電器和工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了最高效率和無(wú)源冷卻潛力。
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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SiCFET（碳化硅）
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漏源電壓（Vdss）
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1200 V
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25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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18A（Tc）
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不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
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189 毫歐 @ 6A，18V
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不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
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5.7V @ 2.5mA
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不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
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13.4 nC @ 18 V
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Vgs（最大值）
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+18V，-15V
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不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
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491 pF @ 800 V
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FET 功能
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標(biāo)準(zhǔn)
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功率耗散（最大值）
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107W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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應(yīng)用
快速電動(dòng)車充電
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
光伏能源系統(tǒng)的解決方案
不間斷電源（UPS）
長(zhǎng)期收購(gòu)英飛凌 IMBG120R140M1H IMBG120 IGBT 晶體管，只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，誠(chéng)信回收電子呆料庫(kù)存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲(chǔ)器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級(jí)管等產(chǎn)品。
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