深圳明佳達電子推出晶體管 NTMFS4C810NAT3G NTMFS4C810N MOSFET–功率，單 N溝道，SO-8FL 30V，46A

型號: NTMFS4C810NAT3G

批次: 新21+

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風格: SMD/SMT

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 46 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.95 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 9.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.49 W

通道模式: Enhancement

封裝: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

工廠包裝數(shù)量: 5000

特征

• 低RDS（開啟），以最小化傳導損耗

• 低電容，將驅動器損耗降至最低

• 優(yōu)化柵極電荷，以最小化開關損耗

• 這些設備為Pb−不含鹵素、不含BFR，符合RoHS標準

應用

• CPU供電

• 直流−直流轉換器

只做原裝，大量工廠庫存，有意者請咨詢陳先生：

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