深圳市明佳達電子公司供應全新原裝N溝道 MOSFET PSMN4R8-100BSE 晶體管 100V 120A 表面貼裝型
| 年份 | 21+ |
| 封裝 | TO-263 |
采用D2PAK封裝的標準級N溝道MOSFET，合格溫度為175℃。作為恩智浦 "NextPower Live "產(chǎn)品組合的一部分，PSMN4R8-100BSE補充了最新的 "熱插拔 "控制器--足夠堅固，能夠承受開啟時的大量浪涌電流，同時提供低RDS(on)特性，在持續(xù)使用中保持溫度降低和效率提升。是基于48V背板/電源軌的電信系統(tǒng)的理想選擇。
特征和優(yōu)勢
• 增強的正向偏壓安全工作區(qū)，可實現(xiàn)卓越的線性模式操作
• 非常低的RDS(on)，可實現(xiàn)低導通損耗
參數(shù)
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 100 V | |
| 120 A | |
| 4.8 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3 V | |
| 196 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 405 W | |
| Enhancement | |
| 配置: | Single |
| 下降時間: | 69 ns |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 上升時間: | 65 ns |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 典型關(guān)閉延遲時間: | 127 ns |
| 典型接通延遲時間: | 41 ns |
應用
• 電子熔斷器
• 熱交換
• 負載開關(guān)
• 軟啟動
公司也長期高價回收MOSFET 晶體管 PSMN4R8-100BSE，只要原裝正品，散新翻新均不考慮，有原廠外標簽則優(yōu)先，有大量庫存需處理的歡迎聯(lián)系我們。
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