深圳市明佳達(dá)電子供求晶體管 NTMFS4C09NT1G 單 N 溝道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
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制造商
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onsemi
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產(chǎn)品型號(hào)
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NTMFS4C09NT1G |
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描述
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MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
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最新21+
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詳細(xì)描述
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表面貼裝型 N 通道 30 V 9A（Ta） 760mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 9A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 5.8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線
特征
低RDS(on)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低電容以最小化驅(qū)動(dòng)損耗
優(yōu)化的柵極電荷，最大限度地減少開關(guān)損耗
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
CPU電源傳輸
直流-直流轉(zhuǎn)換器
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