明佳達(dá)電子供應(yīng)電源管理 LMG3411R150 LMG3411R150RWHR 氮化鎵 (GaN) IC
批號：最新21+
封裝：VQFN32
描述：具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 GaN FET 使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)以將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%，以及低開關(guān)節(jié)點振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢支持密集且高效的拓?fù)?，例如圖騰柱 PFC。
LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成式柵極驅(qū)動可實現(xiàn) 100 V/ns 開關(guān)，V DS振鈴接近于零，小于 100 ns 的限流響應(yīng)可自我保護(hù)以防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控能力。
屬性：
開關(guān)類型：負(fù)載開關(guān)
輸出數(shù)：1
比率 - 輸入:輸出1：1
輸出配置：高端
輸出類型：N 通道
接口：邏輯，PWM
電壓 - 負(fù)載：480V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
電流 - 輸出（最大值）：6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：150 毫歐
輸入類型：非反相
特性：自舉電路，5V 穩(wěn)壓輸出
故障：保護(hù)過流，超溫，UVLO
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：32-VQFN（8x8）
封裝/外殼：32-VQFN 裸露焊盤
基本產(chǎn)品編號：LMG3411R150
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