明佳達(dá)公司供應(yīng)全新原裝N通道晶體管 IMW120R007M1HXKSA1_IMW120R007M1H SiCFET MOSFET

說明：采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC™ 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。

規(guī)格

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 225A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 9.9 毫歐 @ 108A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 750W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3  

封裝/外殼 TO-247-3 

應(yīng)用

電池化成

電動汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動

光伏能源系統(tǒng)解決方案

不間斷電源 (UPS)

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