明佳達(dá)公司推出全新原裝IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 溝槽型碳化硅 MOSFET
描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET。
型號：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1
年份：最新21+
規(guī)格參數(shù)
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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SiCFET（碳化硅）
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漏源電壓（Vdss）
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1200 V
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25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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13A（Tc）
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不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
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294 毫歐 @ 4A，18V
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不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
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5.7V @ 1.6mA
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不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
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9.4 nC @ 18 V
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Vgs（最大值）
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+18V，-15V
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不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
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312 pF @ 800 V
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FET 功能
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標(biāo)準(zhǔn)
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功率耗散（最大值）
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83W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-TO263-7-12
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封裝/外殼
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TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA
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優(yōu)勢
提高效率
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本
SMD封裝，無需增設(shè)散熱器，即可實(shí)現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電動(dòng)汽車快速充電
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
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