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現(xiàn)金回收半導(dǎo)體芯片 PSMN4R8-100BSE MOSFET 晶體管 N 通道
參數(shù)
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漏源電壓（Vdss）
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100 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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120A（Tj）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
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4.8 毫歐 @ 25A，10V
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 1mA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
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278 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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14400 pF @ 50 V
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功率耗散（最大值）
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405W（Tc）
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公司回收電子呆料庫存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍牙IC、手機IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲器、繼電器、MOS管、單片機、二三級管等產(chǎn)品。
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