6月29日消息，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子將于6月30日開始批量生產(chǎn)基于全柵極（GAA）技術(shù)的3nm半導(dǎo)體，進(jìn)而為追趕全球第一大代工企業(yè)臺(tái)積電奠定了基礎(chǔ)。

報(bào)道稱，三星電子將于6月30日正式宣布大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的3nm半導(dǎo)體。據(jù)悉，GAA晶體管結(jié)構(gòu)優(yōu)于目前的FinFET結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗梢詼p少芯片尺寸和功耗。

三星電子比臺(tái)積電和英特爾更早開始使用這項(xiàng)新技術(shù)，這兩家公司計(jì)劃分別在今年下半年和明年下半年開始量產(chǎn)3nm芯片。 

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