5月17日，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電宣布啟動(dòng)開(kāi)發(fā)1.4nm芯片制造工藝的行動(dòng)，再次引發(fā)了先進(jìn)工藝技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。因此，在全球代工市場(chǎng)上緊隨臺(tái)積電之后的三星電子也不得不采取相應(yīng)措施。
報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電將在6月將其3nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)轉(zhuǎn)為1.4nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)。
在三星“Foundry Forum 2021”上，三星電子宣布將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)2nm制程芯片。臺(tái)積電更進(jìn)一步，在三星電子之前啟動(dòng)了1.4nm工藝的開(kāi)發(fā)。
臺(tái)積電和三星一直在競(jìng)相開(kāi)發(fā)低于10nm的制造工藝。就市場(chǎng)占有率而言，臺(tái)積電勢(shì)不可擋。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集幫咨詢(xún)的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在2021年第三季度的市場(chǎng)占有率（以銷(xiāo)售額為準(zhǔn)）為52.1%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了三星電子的18.3%。
然而，三星一直在緊追臺(tái)積電。該公司的目標(biāo)是在2022年通過(guò)使用下一代晶體管結(jié)構(gòu)GAA（環(huán)繞式閘極）來(lái)大規(guī)模生產(chǎn)3nm產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)使晶體管更小、更快。三星即將在臺(tái)積電之前將該技術(shù)商業(yè)化。
