近日，根據(jù)市調(diào)機構(gòu)Yole Dédevelopement發(fā)布的《內(nèi)存行業(yè)年度狀況報告》顯示，2022年，DRAM、NAND閃存市場將分別增長25%、24%到1180億美元、830億美元，均創(chuàng)歷史新高。2021-2027年，獨立內(nèi)存市場預計將以8%的CAGR增長至2600多億美元。然而，季節(jié)性因素仍將存在。
2022年是NAND閃存發(fā)明35周年。自1987年以來，NAND設備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規(guī)模，人們正在深入研究新的技術解決方案，包括CBA體系結(jié)構(gòu)，如長江存儲的Xtacking方法。如今，所有的存儲器制造商都在使用混合鍵合設備進行研發(fā)。鎧俠和三星等主要供應商正在將晶圓對晶圓鍵合納入NAND路線圖。
DRAM業(yè)務上，Yole指出了當前的共識，即平面縮放——即使通過光刻EUV工藝，也不足以在整個未來十年提供所需的位密度改善。因此，主要設備供應商和領先的DRAM制造商正在考慮將單片3D DRAM（相當于3D NAND的DRAM）作為長期擴展的潛在解決方案。Yole的分析師認為，這種新型3D技術可能會在2029-2030年進入市場。
