明佳達(dá)最新庫存 ON NTMFS4C028NT1G N溝道 MOSFET 晶體管 - FET
NTMFS4C028 N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。
產(chǎn)品屬性
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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30 V
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25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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9A（Ta）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
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5.8 毫歐 @ 30A，10V
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不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
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2.1V @ 250µA
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不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
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10.9 nC @ 4.5 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
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1252 pF @ 15 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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760mW（Ta），25.5W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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封裝/外殼
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8-PowerTDFN，5 引線
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應(yīng)用
CPU 供電
DC-DC 轉(zhuǎn)換器
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