據(jù)報(bào)道，近日，第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。這家半導(dǎo)體巨頭計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。
據(jù)悉，在 N2 上臺(tái)積電首次使用 GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，逐漸取代 finFET (鰭式場效應(yīng)晶體管)。三星已經(jīng)開始使用他們版本的GAA，英特爾計(jì)劃在2024年實(shí)施他們的版本。
今年下半年，臺(tái)積電將把N3工藝投入生產(chǎn)。一年后，或者可能更早，它將準(zhǔn)備將N3E工藝投入生產(chǎn)，這是N3的"增強(qiáng)性能、功率和產(chǎn)量"版本。
臺(tái)積電預(yù)測，HPC（高性能計(jì)算）將是其今年增長最快的領(lǐng)域。上一季度HPC產(chǎn)生了41%的收入，僅比智能手機(jī)產(chǎn)生的40%略高。物聯(lián)網(wǎng)和汽車排在第三和第四位，分別創(chuàng)造了8%和5%的收入。
