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月產(chǎn)12萬晶圓!被日美韓長期壟斷的芯片領(lǐng)域,國產(chǎn)終于開始翻身

【導(dǎo)讀】在手機(jī)、電腦、汽車等設(shè)備中都有著存儲芯片的身影。存儲芯片是全球應(yīng)用最廣泛,也是需求量最高的芯片之一,市場規(guī)模相當(dāng)龐大。

一個幾乎被壟斷的芯片領(lǐng)域

值得一提的是,這并非三星電子第一次拿下全球DRAM存儲器市場第一巨頭的位置,也不是三星、SK海力士以及美光科技第一次壟斷全球市場。

上述三大巨頭的市場占有率總計超過94%,由此可見,這三個玩家?guī)缀鯄艛嗔苏麄€全球DRAM存儲器市場。

如此一來,三星電子、SK海力士以及美光科技長期掌握中國市場主導(dǎo)權(quán)也就不那么令人意外了。

畢竟在全球市場中,蘋果、谷歌、微軟等科技巨頭,照樣需要從三大龍頭處進(jìn)口內(nèi)存芯片。

美韓巨頭瓜分94%全球市場

據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示,我國用于進(jìn)口芯片的金額在3000億美元左右,其中有800億美元以上的金額被用來進(jìn)口存儲芯片。

而采購源主要是韓國、日本以及美國的存儲芯片制造商。例如在DRAM領(lǐng)域,三星電子、SK海力士這兩家韓國巨頭,外加美國的美光科技一直占據(jù)著主導(dǎo)地位。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年第三季度全球DRAM市場中,仍然是由上述三大巨頭把控全局,市場占有率總計94%以上。

除了DRAM之外,在NAND Flash市場,同樣是由外資企業(yè)占據(jù)壟斷地位。

例如三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù),還有美光、英特爾等都是行業(yè)頭部企業(yè),這些企業(yè)不僅霸占著全球市場,還掌控著中國NAND Flash市場。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示,中國NAND Flash市占率超過31%,是全球第二大市場,但本土企業(yè)在中國市場的占有率連1%都不到。

由此可見,在整個存儲芯片領(lǐng)域,中國企業(yè)的話語權(quán)少得可憐,外企一旦因?yàn)槟承┰驍喙敲凑麄€中國電子產(chǎn)業(yè)或許就要陷入極為艱難的困境。

產(chǎn)能將達(dá)12萬晶圓/月

據(jù)消息,在2021年,國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片廠商合肥長鑫的DRAM產(chǎn)能已達(dá)6萬晶圓/月,預(yù)計今年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到12萬晶圓/月的水平,同時還將推出更先進(jìn)的17nm工藝DDR5/LPDDR5等內(nèi)存芯片。

據(jù)介紹,合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商,專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn),2018年研發(fā)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片,2019年Q3季度量產(chǎn),2020年多款國產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)用上了長鑫的顆粒。

產(chǎn)能方面,長鑫在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo),2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月,未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。

當(dāng)然,國產(chǎn)內(nèi)存擴(kuò)增產(chǎn)能依然是好事,用網(wǎng)友的話說就是國內(nèi)有自己的內(nèi)存芯片生產(chǎn),就不怕別人的內(nèi)存廠失火、斷電、地震等災(zāi)難了。

除了產(chǎn)能擴(kuò)增,國產(chǎn)內(nèi)存的技術(shù)水平也在追趕,目前長鑫量產(chǎn)的主要是第一代10nm級別工藝10G1,實(shí)際水平應(yīng)該是19nm,主要以DDR4、LPDDR4為主,2020年報道中提到研發(fā)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存,這是10G3代工藝,未來還有10G5工藝,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。

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