缺芯潮持續(xù)，何時緩解仍未有定論。
“5G帶動半導體需求增加，加上地緣政治和疫情驅(qū)動恐慌性備貨，晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況依然存在。”近日，在TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上，集邦咨詢分析師喬安表示。
TrendForce集邦咨詢預(yù)估，在歷經(jīng)連續(xù)兩年的芯片荒后，晶圓代工廠宣布擴建的產(chǎn)能將陸續(xù)在2022年釋放，且新增產(chǎn)能集中在40nm及28nm制程。不過，由于新增產(chǎn)能的產(chǎn)出時間點落在2022下半年，正值傳統(tǒng)旺季，在供應(yīng)鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下，產(chǎn)能紓解的現(xiàn)象可能并不明顯。
今年來，中國存儲芯片廠商發(fā)展迅速。中信證券(23.950, -0.14, -0.58%)在研報中稱，長江存儲、華虹集團、中芯國際(54.250, -0.75, -1.36%)、長鑫存儲等晶圓廠積極擴產(chǎn)，驅(qū)動國內(nèi)半導體設(shè)備市場增速兩倍于全球市場。
盡管如此，在全球行業(yè)競爭格局上，眼下中國芯片廠商依然難以撼動三星、英特爾等海外企業(yè)的市場地位。
中國廠商加速擴產(chǎn)
存儲芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，常見的電子設(shè)備基本都需使用存儲芯片，從存儲芯片細分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額。
中國是全球存儲芯片最大市場。據(jù)報道，中國一年3000億美元的芯片進口額中，有超過800億美元為采購內(nèi)存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。
在國際競爭格局上，存儲芯片長期被韓、日、美等國企業(yè)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士及美光占據(jù)主導地位。
集邦咨詢報告顯示，2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場占有率總計超過94%。
NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾為行業(yè)龍頭。據(jù)民生證券7月統(tǒng)計，中國是全球第二大NAND Flash市場，占比超過31%，但本土供應(yīng)市占率不足1%。
11月18日，時創(chuàng)意董事長倪黃忠在接受時代周報記者采訪時表示，中國存儲芯片行業(yè)起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域均沒有國內(nèi)廠商，近年來，以長江存儲、長鑫存儲為代表的國內(nèi)龍頭廠商開始崛起。
“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用三年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。”長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，去年4月，長江存儲宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功。
中信證券在研報中稱，長江存儲是國內(nèi)3D NAND Flash 存儲器頭部廠商，一期項目于2019年產(chǎn)能達到2萬片/月，2020年擴產(chǎn)至5萬片/月以上水平，預(yù)計一期項目未來將達到10萬片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬片/月。
長鑫存儲作為國內(nèi)DRAM存儲器龍頭，三期總產(chǎn)能規(guī)劃37.5萬片/月。中信證券預(yù)計，其產(chǎn)能將從2021年初4萬片/月擴張至2022-2023年12.5萬片/月，同時2022-2023年有望啟動二期建設(shè)（12.5萬片/月）。
國產(chǎn)芯片向高端進階
對存儲廠商而言，跑得夠不夠快是一個需要持續(xù)思考的問題。
以DRAM為例，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，增長率已收縮至15%以內(nèi)。
華存電子技術(shù)總工程師魏智汎告訴時代周報記者，近幾年，國內(nèi)外企業(yè)級存儲主控芯片市場發(fā)展迅速，競爭激烈，華存電子不僅要面對英特爾、三星、美光等閃存原廠，還要面對美滿電子、Microsemi等傳統(tǒng)主控大廠的競爭。
國產(chǎn)存儲芯片必須從低端向高端進階。東芯半導體副總經(jīng)理陳磊表示，作為本土芯片供應(yīng)商，東芯半導體目前40%以上的員工都是研發(fā)工程師，通過自主的產(chǎn)品設(shè)計，以及與國內(nèi)晶圓廠和封裝測試廠的合作，已經(jīng)打造出一條本土供應(yīng)鏈體系。
在市場層面，5G、汽車電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)及新興市場，給存儲芯片帶來旺盛需求，也對產(chǎn)品性能提出新要求，包括精進工藝制程、提升產(chǎn)品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產(chǎn)品快速迭代。
這也對整個產(chǎn)業(yè)鏈提出新要求。倪黃忠表示，1.0時代，模組廠商只能做一些簡單的加工測試，開發(fā)能力較弱，產(chǎn)品以Micro SD卡、U盤等為主；2.0時代，模組廠商成為產(chǎn)品和技術(shù)的跟隨者，在行業(yè)內(nèi)有一定知名度，但銷售依然難突破；步入3.0時代，模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開發(fā)，延展到系統(tǒng)級開發(fā)以及整個設(shè)備自動化產(chǎn)線進行改造，有全面的技術(shù)開發(fā)能力。
“雖然摩爾定律在半導體的很多領(lǐng)域受到了挑戰(zhàn)，但在閃存這個領(lǐng)域還在繼續(xù)發(fā)揮作用。”西部數(shù)據(jù)副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，閃存密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。
劉鋼分析，摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個維度可以發(fā)揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度；二是堆疊，在縱向上發(fā)展；三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設(shè)定，從原來的SLC（Single-Level Cell，單層式存儲單元）到MLC（Multi-Level Cell，雙層式存儲單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層式存儲單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層式存儲單元），在每個單元都可以增長。
雖然，當前存儲芯片市場主要由海外巨頭公司掌握，國產(chǎn)公司處于相對落后狀態(tài)，但國產(chǎn)存儲芯片已在各個細分行業(yè)展開追趕，并獲得顯著進展。“本土存儲廠商正奮起直追，企業(yè)之間形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，國產(chǎn)替代正當時。”陳磊表示。
公司首頁：www.hkmjd.com
