•為自舉操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道完全可操作至 +600 V

•耐受負(fù)瞬態(tài)電壓 - dV/dt 免疫

•柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為 10 V 至 20 V

•所有通道的欠壓鎖定

•過流關(guān)斷關(guān)閉所有六個(gè)驅(qū)動(dòng)器

•獨(dú)立半橋驅(qū)動(dòng)器

•所有通道的匹配傳播延遲

•3.3 V 邏輯兼容

•輸出與輸入異相

•防交叉邏輯

•集成運(yùn)算放大器

•集成自舉二極管功能 (IRS233(0,2)D)

•符合 RoHS

描述

IRS233(0,2)(D)(S & J) 是一種高電壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器具有三個(gè)獨(dú)立的高和低側(cè)參考輸出通道。專有HVIC技術(shù)使堅(jiān)固的整體結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入兼容 CMOS 或 LSTTL 輸出，低至 3.3 V 邏輯。一個(gè)以地面為參考的操作放大器通過一個(gè)提供橋電流的模擬反饋外部電流檢測(cè)電阻。電流跳閘功能終止所有六個(gè)輸出也來自該電阻器。開漏 FAULT 信號(hào)指示是否過流或發(fā)生欠壓關(guān)斷。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)，專為最小驅(qū)動(dòng)交叉?zhèn)鲗?dǎo)。傳播延遲是匹配以簡(jiǎn)化在高頻下的使用。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng) N 通道功率 MOSFET或高側(cè)配置中的 IGBT 運(yùn)行到 600 V。

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