深圳市明佳達電子有限公司推出全新英飛凌OptiMOS™ 功率晶體管 IPB038N12N3G MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
特性：
• N 溝道、正常電平
• 出色的柵極電荷 x R DS（導(dǎo)通）乘積（FOM）
• 極低的導(dǎo)通電阻 R DS(on)
• 175 °C 工作溫度
• 無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范，無鹵素
• 目標(biāo)應(yīng)用符合 JEDEC1) 標(biāo)準(zhǔn)
• 高頻開關(guān)和同步整流的理想選擇
IPB038N12N3G器件屬性：
| Infineon | |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| D2PAK-3 (TO-263-3) | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 120 V | |
| 120 A | |
| 3.2 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2 V | |
| 211 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| Enhancement | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 3 | |
| 配置: | Single |
| 下降時間: | 21 ns |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值: | 83 S |
| 高度: | 4.4 mm |
| 長度: | 10 mm |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 上升時間: | 52 ns |
| 工廠包裝數(shù)量: | 1000 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 典型關(guān)閉延遲時間: | 70 ns |
| 典型接通延遲時間: | 35 ns |
| 寬度: | 9.25 mm |
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